Generale
Tipo di dispositivo Unità di memoria a stato solido - interno
Capacità 500 GB
Crittografia hardware Sì
Encryption Algorithm 256 bit AES
Tipo memoria flash NAND Triple-level cell (TLC)
Fattore di forma M.2 2280
Interfaccia PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Dimensione buffer 512 MB
Caratteristiche Supporto TRIM,modalità di sospensione,Auto Garbage Collection Algorithm,V-NAND Technology,NVM Express (NVMe) 1.3,Samsung Phoenix Controller,S.M.A.R.T.
Larghezza 22.15 mm
Profondità 80.15 mm
Altezza 2.38 mm
Peso 8 g
Prestazioni
Durata SSD 300 TB
Velocità di trasferimento dati interno 3500 MBps (lettura) / 3200 MBps (scrittura)
Lettura casuale da 4 KB 19000 IOPS
Scrittura casuale da 4 KB 60000 IOPS
Lettura casuale da 4 KB max 550000 IOPS
Lettura random massima 4KB 480000 IOPS
Affidabilità
MTBF 1,500,000 ore
Espansione e connettività
Interfacce PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Compatibile con Baionetta M.2 2280
Alimentazione
Consumo energetico 5.8 Watt (medio)
9 Watt (massimo)
30 mW (max. inattiva)
Miscellanea
Standard di conformità IEEE 1667
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